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HAST非飽和高壓加速老化試驗機

HAST非飽和高壓加速老化試驗機

本設備廣泛用於IC半導體、連接器、線路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏組件等行業相關之產品作加速老化壽命試驗。滿足試驗標準:GB-T2423.40-1997、IEC60068-2-66-1994、JESD22-A100、JESD22-A101、JESD22-A102、JESD22-A108、JESD22-A110、JESD22-A118等
TCT溫度循環測試箱

TCT溫度循環測試箱

TCT溫度循環測試箱標準機型有:100L、150L、225L、408L、800L、1000L的內箱尺寸;備注:50L~100L及1000L以上是非標定製產品,具體規格參數以方案書為準。低溫可選:-80℃、-70℃、-60℃、-40℃、-20℃、0℃和常溫;高溫可選:+150℃、+180℃、+200℃;濕度範圍有:20%~98%RH(非標可選:5%~~98%RH、10%~98%RH)TCT溫度循環測試箱適合電子元器件,半導體IC、芯片、光伏組件,電器,食品,車輛,金屬,化學,建材等工廠,科研單位,院校之用。
高溫高壓蒸煮儀

高溫高壓蒸煮儀

內箱容積mm(圓桶):¢300×D450、¢400×D550溫度範圍:+110~+132℃、+110℃~+147℃壓力範圍:壓力表+0.2~2.0kg/cm²、壓力表+0.2~3.5kg/cm²濕度範圍:100%R.H(飽和蒸汽)適用範圍:一般適用於電子元器件、半導體器件、太陽能組件、高分子材料、磁材、金屬材料等。
HAST非飽和高壓加速老化試驗箱

HAST非飽和高壓加速老化試驗箱

內箱容積(圓桶):¢300×D450、¢400×D550溫度範圍:+110~+132℃、+110℃~+147℃壓力範圍:壓力表+0.2~2.0kg/cm²、壓力表+0.2~3.0kg/cm²、壓力表+0.3~3.5kg/cm²濕度範圍:65%~100%R.H(可調)適用範圍:本設備廣泛用於IC半導體、連接器、線路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏組件等行業相關之產品作加速老化壽命試驗。
PCT試驗箱

PCT試驗箱

品牌:Riukai/水蜜桃视频下载內箱容積(圓桶):¢300×D450、¢400×D550溫度範圍:+110~+132℃、+110℃~+147℃壓力範圍:壓力表+0.2~2.0kg/cm²、壓力表+0.2~3.5kg/cm²濕度範圍:100%R.H(飽和蒸汽)適用範圍:一般適用於印刷線路板(PCB或FPC)、半導體、金屬、磁性材料、電子元器件、高分子材料等
PCT飽和高壓加速老化試驗箱

PCT飽和高壓加速老化試驗箱

內箱容積mm(圓桶):¢300×D450、¢400×D550溫度範圍:+110~+132℃、+110℃~+147℃壓力範圍:壓力表+0.2~2.0kg/cm²、壓力表+0.2~3.5kg/cm²濕度範圍:100%R.H(飽和蒸汽)適用範圍:一般適用於印刷線路板(PCB或FPC)、半導體、金屬、磁性材料、電子元器件、高分子材料等
PCT高壓蒸煮試驗機

PCT高壓蒸煮試驗機

內箱容積mm(圓桶):¢300×D450、¢400×D550溫度範圍:+110~+132℃、+110℃~+147℃壓力範圍:壓力表+0.2~2.0kg/cm²、壓力表+0.2~3.5kg/cm²濕度範圍:100%R.H(飽和蒸汽)適用範圍:一般適用於電子元器件、半導體器件、太陽能組件、高分子材料、磁材、金屬材料等。
功率<i style='color:red'>半導體</i>器件利用高低溫濕熱試驗箱做穩態濕熱高壓偏置試驗

功率半導體器件利用高低溫濕熱試驗箱做穩態濕熱高壓偏置試驗

功率半導體器件穩態濕熱高壓偏置試驗方法,用以評價非氣密封裝的功率半導體器件在高溫高濕環境下耐受高電壓的可靠性。不但適用於矽功率器件,也適用於碳化矽及氮化家功率器件。
塑封<i style='color:red'>半導體</i>器件THB試驗

塑封半導體器件THB試驗

THB試驗是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗方法,一般在高溫高濕試驗箱中進行。通過提高環境溫度及相對濕度,使試驗環境的水汽分壓增加,加大了試驗環境與塑封半導體器件樣品內部的水蒸氣壓力差,進而加劇水汽擴散和吸收:同時施加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內產生縫隙加速水汽的侵入;封裝材料中的雜質汙染等。
芯片(IC)可靠性測試好幫手——水蜜桃视频下载儀器HAST試驗箱係列

芯片(IC)可靠性測試好幫手——水蜜桃视频下载儀器HAST試驗箱係列

芯片是電子信息產品重要的元器件,是高端製造業的是核心基石!幾乎每種電子設備,電腦、手機、家電、汽車、高鐵、電網、醫療儀器、機器人、工業控製等都使用芯片。水蜜桃视频下载HAST試驗箱主要應用於芯片、半導體器件、金屬材料領域,通過爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因汙染造成之短路等相關問題。

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